久巨脈沖式充磁設(shè)備:高頻磁場發(fā)生裝置升級,0.1 秒高效完成充磁
395久巨脈沖式充磁設(shè)備依托高頻磁場發(fā)生裝置技術(shù)優(yōu)化,通過高頻脈沖能量壓縮、磁路結(jié)構(gòu)革新及智能反饋閉環(huán),實現(xiàn) 0.1 秒高效充磁,磁場強(qiáng)度達(dá) 10T 級且均勻度誤差 ±0.5%,為電機(jī)、傳感器精密制造提供支撐。
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久巨脈沖式充磁設(shè)備依托高頻磁場發(fā)生裝置技術(shù)優(yōu)化,通過高頻脈沖能量壓縮、磁路結(jié)構(gòu)革新及智能反饋閉環(huán),實現(xiàn) 0.1 秒高效充磁,磁場強(qiáng)度達(dá) 10T 級且均勻度誤差 ±0.5%,為電機(jī)、傳感器精密制造提供支撐。
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